12月22日，江苏宏微科技股份有限公司（以下简称“宏微股份”）的科创板申报材料获得上交所受理，公司拟募资5.58亿元，分别投向新型电力半导体器件产业基地项目、研发中心建设项目以及偿还银行贷款及补充流动资金项目。

宏微股份采取的是Fabless模式，其主要产品为功率半导体器件，主要包括IGBT、FRED芯片、单管及模块等产品，报告期内，公司实现营业收入分别为2.09亿元、2.62亿元、2.6亿元、1.42亿元。

《科创板日报》记者梳理发现，除了拥有芯片自研技术外，宏微股份还存在每年向其同行业公司英飞凌大笔采购芯片的情况，且在报告期内，公司每年外购芯片的金额要高于其采购自研芯片所需金额。

并且记者还注意到，国产IGBT厂商斯达半导同样存在外购芯片的情况，其背后存在着怎样的原因？两家公司对此又是如何解释？

英飞凌是第一大供应商

宏微股份的产品中，单管主要是指将一个IGBT芯片单独或与FRED芯片、MOSFET芯片通过芯片焊接和铝丝键合至铜框架基板上，接入电极，并通过塑封外壳封装而成；而模块中除芯片以外，主要由DBC基板、铝线或铜线等材料组成。

可以看出的是，不论上述哪款产品，芯片都是其中的核心零部件。

记者从招股书中获悉，宏微股份是国内少数可以自主研发IGBT、FRED芯片的公司。但除了由芯片代工供应商生产的自研芯片外，宏微股份还存在对外采购芯片的情况。

报告期内，宏微股份向英飞凌采购的芯片金额分别为：2216.73万元、4159.39万元、5159.20万元以及1423.25万元，占当期采购总额的比重分别为14.89%、21.01%、28.43%和13.49%。而自2018年起，英飞凌就持续稳居宏微股份第一大供应商的位置。

值得注意的是，英飞凌的身份不仅是宏微股份的供应商，同时也是宏微股份在功率半导体器件行业的国外竞争对手，根据IHS Markit 2018年报告，2017年其全球市场占有率为22.40%，在低电压、中电压和高电压IGBT领域，英飞凌均占据领先地位。

从另一个角度看，2017年至2020年1-6月，公司芯片（外购）的采购金额分别为：3776.68万元、5367.51万元、6200.62万元以及2307.7万元；而前述各期，公司对自研芯片的采购金额分别为：739.97万元、1477.97万元、2382.00万元以及1734.93万元。

需要说明的是，外购芯片是指向芯片生产商直接采购芯片成品，而自研是由公司提供芯片光刻版图设计和工艺流程，代工企业自行采购硅片等原材料加工后向公司交付芯片，属于原材料采购，公司采购的芯片成本中已经包含了代工成本。

上述的数据反映出两个情况：其一是公司除了向英飞凌外购芯片外，也有向其他厂商外购芯片；其二，公司对于外购芯片的金额显著高于自研芯片所需原材料的采购金额。

外购芯片的原因

进一步来看，招股书中提到，外购芯片主要包含IGBT芯片、FRED芯片、整流二极管芯片等，各类芯片价格差异较大，其中IGBT芯片单价相对较高；而宏微股份的自研芯片主要为IGBT芯片。

对于外购芯片的原因，宏微股份未在招股书中具体提及，但公司在解释主营业务毛利率低于同行业可比公司平均水平时提到：“公司部分客户指定要求使用进口芯片，进口芯片价格相对较高，导致部分IGBT模块毛利率相对偏低”。

不过由于外购芯片的品种较多，因此在报告期内，宏微股份外购芯片的平均采购单价低于自研芯片。

此外，除了宏微股份存在外购芯片的情况外，记者注意到，其同行业公司斯达半导也存在类似的情形。

斯达半导在今年1月披露的招股书中称，公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片已经量产；但同时，公司仍然存在外购芯片的情况，包括英飞凌、Si-Chip Power Technologies Limited、IXYSSemiconductor GmbH等公司。

除了2019年1-6月外，2016年至2018年，斯达半导各期外购芯片的金额均超过其采购自主研发芯片的金额。

为此，在此前监管层向公司发送的“反馈意见”中，监管层要求公司说明，外购芯片的原因及合理性，外购芯片的主要采购对象，公司自主芯片在IGBT模块产品的重要程度；自主芯片与外购芯片的区别、联系、功能是否可相互替代，公司是否对外购芯片尤其是进口芯片形成重大依赖，自主芯片的核心零部件是否依赖进口。

斯达半导在招股书中称，其自主研发设计的最新一代FS Trench芯片，具备替代进口芯片的能力，公司对外购芯片不存在重大依赖。而对外采购芯片的原因是：由于客户对公司自研芯片的批量化使用需要一定的验证时间，因此在正常情况下，公司自主研发的芯片完全取代进口芯片需要一定过程。

就技术角度而言，斯达半导称，其已实现了IGBT芯片国产化，具备替代进口IGBT模块的能力。宏微股份在招股书中则提到，其最新研发成功的宏微第四代IGBT M4i 750V 280A芯片，在击穿耐压、短路极限时间方面与英飞凌芯片基本相同，在损耗、电流密度方面与英飞凌芯片相接近。