电子料分类：

1、电阻

概述：电阻是电子产品中使用最多的电子元件，约占总数的35%，而有些产品如彩电则占50%因此电阻的质量对产品有重要影响。常用电阻有碳膜电阻，金属膜电阻，金属氧化膜电阻，实心电阻和绕线电阻。

技术参数：

1电阻和阻值：导电材料在一定程度上阻碍电流流过的物理性能。

2 标称电阻及允差：即实际值与标称值之间的差别。

3 额定功率：在正常大气压力（650-800mmhg）和额定温度下， 长期连续工作并能满足性能要求所允许的最大功率。

4电阻的负载特性：允许功率与环境温度的关系，当环境温度等于最高环境温度时，功率将降为零。

标称阻值与额定功率系列：

E6,E12,E24,E48,E96,E192系列，分别使用于允差为20%M, 10%K,5%J,2%G,1%F,0.5%D .

电阻的额定功率也是采用标准化的额定功率系列值：

0.05.125 0.25 0.5 125102550100W

色环标志法：黑0 棕1 红2 橙3 黄4 绿5 蓝6 紫7灰8 白9 金5% 银10%

例如：当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色。那么前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为允差。

当电阻为五环时，最後一环(棕)与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为允差。

表示允差的文字符号

B 0.1% C0.25%D0.5%F1% G2%J5%K10%M20%N30%

二、电位器：

标称阻值：电位器的标称阻值采用E6,E12系列，允差对于非线绕电位器有20% 10% 5% 对线绕电位器有10% 5% 2% 1%.

符合度：电位器实际输出函数特性与所要求理论函数特性的符合程度。

线性度：当电位器的理论函数为直线时，这时的符合度即为线性度。

电位器的函数形式：

我们用的有A、B、C三种类型。

合成碳膜电位器

他的电阻体是经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单， 是目前应用最广泛的电位器。例如收音机，电视， 录音机等均大量应用。缺点是电流噪声，非线性大。 耐潮性以及阻值稳定性差。

WH20 额定功率：0.25W、0.1W 、0.05W

工作温度： -10---70C

金属膜电位器：

特点是耐高温，分辨力好，温度系数小，高频性能好，缺点是阻值范围窄，接触电阻大耐磨性差。

WJW2(微调)额定功率：0. 25W 阻值范围：150-150K 阻值特性： X允差：M 最大工作电压：200V机械寿命：36周。环境温度：-55—125C

绕线电位器

绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。

WXD3-13额定功率：2W 阻值范围：220-68K 阻值特性： X

允差：G,J,K 最大工作电压：160V机械寿命：5000周。环境温度：-55—125C机械角度：3600度。

敏感电阻：敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v等。

命名方法：

根据电子工业部的规定，敏感电阻的命名由4部分组成：

第一部分：M敏感元件

第二部分：类别：Z正温度系数热敏电阻F负温度系数热敏电阻Y压敏电阻 S湿敏电阻 Q气敏电阻G光敏电阻 C磁敏电阻L力敏电阻

第三部分：用途和特征 （热敏）1普通用 2稳压用 3微波测量用 4旁热式5测温用 6控温用 7消磁用 8线性用 9恒温用 0特殊用

（压敏）W稳压用 G高压保护用 P高频用 N高能用 K高可靠用L 防雷用 H灭弧用Z消噪用B补偿用C 消磁用 光敏1,2,3紫外线4，5，6可见光7，8，9红外线

第四部分： 序号

热敏电阻：是一种阻值随温度变化的元件，阻值随温度增加而上升的为正温度系数热敏电阻，简称PTC 反之称为负温度系数热敏电阻NTC

热敏电阻主要参数的定义：

标称阻值：指在环境温度为25C时电阻的阻值。

温度系数：温度变化1度时电阻的相对变化量。

碳膜电阻器（RT）

材料：高温下将有机化合物（烷，苯等碳氢化合物）热分解产生的碳积在陶瓷肌体表面。碳膜电阻器阻值范围宽，由良好的稳定性，温度系数不大且是负值，是目前应用最广泛的电阻器。

超小型碳膜电阻：RT13 功率：0.125W 阻值范围：1-1M 允差：G,J,K环境温度范围： -55---125C 额定温度70 C 最大工作电压：150V温度系数：-400---1500PPM 最大重量： 0.1G

碳膜电阻：RT-0.25 功率：0.25W 阻值范围：10-5.1M 允差:J,K环境温度范围： -55---100C 额定温度40 C 最大工作电350V 温度系数：-600---1200PPM 最大重量： 1.5G

碳膜电阻：RT-1 功率：1W 阻值范围：27-10M 允差:J,K

环境温度范围： -55---100C 额定温度40 C 最大工作电压：700V温度系数：-600---1200PPM 最大重量：3.4G

金属膜电阻（RJ）

材料：通过真空蒸发或阴极溅射，沉积在陶瓷肌体表面上一层很薄的金属或合金膜。

特点：金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小，金属膜电阻由于结构不均匀，因此使他的脉冲负载能力差。

RJ13 功率：0.125W 阻值范围：100-510K 允差：,J,K

最大工作电压：150V 温度系数：+-500PPM 最大重量： 0.1G

RJ17 功率：0.25W 阻值范围：1000-1M 允差：B,C,D

最大工作电压：250V(脉冲500) 温度系数：+-25PPM（负温：+-100PPM） 最大重量： 2.0G

RJ74 功率：0.25W 阻值范围：1000-510K 允差：B,C,D,F

最大工作电压：250V 温度系数：+-15PPM

金属氧化膜电阻：(RJ)

材料：利用金属氯化物（氯化锑，氯化锌，氯化锡）高温下在绝缘体水解形成金属氧化物电阻膜。

特点：由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。但其在直流下容易发生电解使氧化物还原，性能不太稳定。

RY功率：0.25W 阻值范围：1-1K 允差：J,K

最大工作电压：250V温度系数：+-700PPM（负温：+-1200PPM）最大重量： 0.25G

RY功率：2W阻值范围：1-10K 允差：J,K 最大重量： 3.5G最大工作电压：750V 温度系数+-700PPM（负温：+-1200PPM）

RY70功率：1W 阻值范围：10-1K 允差：D,F,G 最大重量： 3.5G温度系数+-200PPM（负温：+300PPM）

化学沉积金属膜电阻（RC）

材料：他是镀液中的金属离子在陶瓷肌体表面形成金属薄膜，他是利用化学反应进行镀膜。目前一般沉积的是镍膜。

特点：由于化学沉积膜的电阻可以很低，可弥补精密金属膜电阻的低阻部分，由于化学膜反应时产生大量氢气使镀膜多孔，使其防潮性较差。

RC11功率：0.25W 阻值范围：1-2K 允差:J,K

环境温度范围： -55---125C 额定温度70 C 最大工作电压：250V 温度系数：+-600---+-1000PPM 最大重量： 0.25G

RC70功率：0.25W 阻值范围：1-1K 允差:J,D,F

环境温度范围： -55---100C 额定温度40 C

温度系数：+-200----+-300PPM 最大重量：0.5G

电容(来源于P55)

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。

主要参数的意义：

标称容量以及允许偏差：目前我国采用的固定式标称容量系列是：E24，E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5%、 +-10%、 +-20%。

电容的频率特性：随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

电容的额定电压：在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流或交流电压有效值.

电容器的击穿电压： 电容器正常漏导的稳定状态被破坏的电压。

电容器的试验电压:该电压用于测试判断那些因缺陷击穿强度明显下降的 产品。

电容器的绝缘电阻：直流电压加在电容上，并产生漏导电流，两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能。

瓷介电容器：

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

CC10超高频瓷介电容

独石瓷介电容器：

云母电容：

金属化纸介电容器：

他的电极是利用真空蒸发的方法在电容器纸上沉积一层金属薄膜做成， 因而体积较纸介电容小得多。他的主要特点是具有自愈作用，当介质发生局部击穿后，其电性能可立即恢复到击穿前的状态。金属化纸介电容虽克服了纸介电容的一些缺点，但是仍然不能离开纸，他们的化学稳定性差，并且随着频率的上升损耗急剧增加，因此不适于高频电路。

.纸介电容器：纸介电容因其比率电容大，电容范围宽，工作电压高，成本低而广泛使用，缺点是稳定性差，损耗大， 只能应用于低频或直流电路，目前已被

碳酸酯薄膜电容：

此电容性能比聚酯电容好，耐热与聚酯电容相同，可替代聚酯，纸介电容，

广泛应用于直流交流，脉动电路中。

聚苯乙烯薄膜电容器：

主要特点是绝缘电阻高， 损耗小， 容量精度高，电参数随频率温度变化小，缺点是体积大， 工作温度不高（上限为70C）该电容主要应用于滤波，高频调谐器，均衡器中。

电解电容器

概述：电解电容的介质是一层极薄的金属氧化膜，氧化膜的金属基体是电容的阳极，液体，半导体，或固体电解液是电容的阴极。电解电容的结构特点决定了电解电容的比率电容大。电解电容的氧化膜具有单向导电性，在接入电路时必须认清正，负极。电解电容用于直流或者脉动电路中。

无极电解可以应用于极性变化的电路中，他是两个电容的负极对接而成的。

电解电容的损耗较大， 温度，频率特性较差，因此限制了电解在交流电路的应用。

采用液体电解质的电容容易产生漏液， 干涸，老化，甚至爆炸的现象，电解电容的绝缘性能差， 高压大容量的电解电容漏电可在1mA以上。

钽电解电容器：

钽电解电容主要应用于替补铝电解电容性能参数难以满足要求的电路中，

如要求电容体积小，温度范围宽，频率特性和阻抗特性要求高，产品稳定和可靠性要求高的军用，民用整机电路。各种民用机也开始部分采用钽电容 ，以提高产品质量。

铌电容在60，70年代曾经出现过工业化生产的局面，但由于其氧化膜热稳定性和化学稳定性不好，80年代后，随着钽电容工艺的成熟，钽粉比容迅速提高，每支钽电容的用粉量大幅度下降，因此原来铌电容比钽电容价格低的优势逐渐消失，铌电解电容的生产也趋于停止。

电感元件：

概述： 凡是能产生电感作用的原件统称为电感原件，常用的电感元件有固定电感器， 阻流圈，电视机永行线性线圈，行，帧振荡线圈，偏转线圈，录音机上的磁头，延迟线等。

1 固定电感器 :一般采用带引线的软磁工字磁芯，电感可做在10-22000uh之间，Q值控制在40左右。

2 阻流圈：他是具有一定电感得线圈，其用途是为了防止某些频率的高频电流通过，如整流电路的滤波阻流圈，电视上的行阻流圈等。

3 行线性线圈：用于和偏转线圈串联，调节行线性。由工字磁芯线圈和恒磁块组成，一般彩电用直流电流1.5A电感116-194uh频率：2.52MHZ

4 行振荡线圈： 由骨架，线圈，调节杆，螺纹磁芯组成。一般电感为5mh调节量大于+-10mh.

5偏转线圈： 由两组线圈， 铁氧体磁环和中心位置调节片组成，调节片的材料为铁钴钒合金或磁性塑料。

例：北京电视机厂TLY15339F线圈配用

510XUB22 20寸显像管，

行电感：1.75mh+-3.2% 行电阻：2.05ohm+-5%

场电感：118mh+-5% 场电阻：50ohm+-5%串扰-40DB

失真：上下左右：1%梯形四边形：2.5%

会聚：上下左右：0.4%角部1.1%

6 色度延迟线： 采用零温度系数等延迟导声玻璃和PTZ压电换能器制成。

例：YJD-8 A0 频率：4.433619mhz相延迟：63.943us

带宽：3.63-5.23mhz 插入损耗：10db 三次反射：〉28db

其他反射：〉26db 使用温度：-20—70C

端接电阻：390ohm 输入端接电感5.6uh

输出端接电感：8.5uh 绝缘：〉1mohm

。

变压器：

概述：变压器是电磁能量转换器件，根据电磁感应原理制成，主要作用是变换电流电压阻抗，在电源和负载之间进行直流隔离，以最大限度的传送电源能量（功率）。

半导体二极管

整流管：整流管因为其正向工作电流较大，工艺上多采用面结型结构，结电容大， 因此整流二极管工作频率一般小于3KHZ .

例：2CZ31 反向工作电压： 50-800V 正向电流：>1A

正向压降：<0.8V 反向电流：<5 UA 瞬时电流：>20A 最高温度：>150C

例：2CZ56 反向工作电压： 100-2000V 正向电流：3A

正向压降：<0.8V 反向电流：<20 UA 瞬时电流：>65A 最高温度：>140C

注：桥式整流器以此此类推。

稳压二极管：

稳压二极管的正向曲线与普通二极管相仿，但反向曲线比普通二极管低的多。其击穿点处，曲线弯折特别尖锐，反向电流剧增， 但电压几乎保持不便，只要在外电路中设置限流措施，使稳压管始终保持在允许功耗内，就不会损坏管子，稳压管的反向击穿是可逆的，而普通二极管的击穿是不可逆的。稳压二极管多采用硅材料制成。

由于稳压二极管的击穿机理上的区别，一般认为稳压管在5V以下属于齐纳击穿，7V以上属于雪崩击穿，5-6V两者兼而有之。小于5伏时，具有负温度系数，大于7伏时，具有正温度系数，在5-6伏时，温度系数则接近0。

晶体管：（半导体分立器件）

半导体分立器件泛指半导体二极管， 三级管以及半导体特殊器件。

特性参数：（二极管）

If正向直流电流：他定义为二极管低阻方向流过的电流，对整流管定义为，规定使用条件下载阻性负载的正旋半波整流电路中允许连续通过的最大工作电流平均值，对硅开关管，则规定为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

Ifm正向峰值电流:定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

Vf正向电压降：他定义为二极管通过额定电流时的电压降平均值。

最高反向工作电压：对硅整流管，为击穿电压的2/3 ，对硅堆，规定为正旋半波阻性负载电路中正常工作时所加的最大反向峰值电压值。对锗检波管， 硅开关管规定为反向电流在极间产生的电压值。

击穿电压：对于发生软击穿的如,锗检波，开关管，是指在给给定的反向电流的极间电压值，对于硬击穿的整流开关管，则指反向特性曲线急剧转弯电的电压峰值。